（报告出品方：华泰证券）

周期：底部筑底信号显著，23年下半年起有望逐步回暖，AI服务器、AI手机与AIPC有望带动存储单机密度大幅提升。我们复盘以往存储行业周期，发现上行期与下行期均约两年，而本轮周期从21年末开始至今已下行约7个季度，同时供给端与价格方面已呈现筑底信号，产业链预计23年下半年开始需求端将逐步复苏开启上行。供给端，主要存储原厂稼动率与资本开支缩减明显，资本开支的缩减将主要于23年下半年开始明显见效，下半年供给端进一步收缩有望加速行业筑底反转。据Trforce，三星/美光/海力士稼动率从22年的接近满载分别下滑至2Q23的77%/74%/82%，海力士与美光2Q23资本开支分别同比下降62%/40%，美光于2Q23业绩会上也表示其减产将延续至明年。价格端上同样呈现筑底态势，海力士于2Q23业绩会上表示其DRAM价格已出现高个位数的环比增长，IDC数据，DRAM市场均价于1Q23与2Q23环比下降幅度分别为13%与6%，Trforce预计3Q23DRAM跌幅将收窄至0%~5%。需求端，美光与Trforce预计整体需求将于下半年开始改善，AI、汽车有望维持快速增长，下半年手机、PC等大宗市场回暖复苏有望进一步推动价格止跌，存储周期拐点将近。此外，手机是终端用户交互最重要设备之一，考虑算力、存力等因素，以手机为代表的终端AI落地或将率先实现，AI有望成为驱动下一轮换机潮的重要因素，2H23首批具备AI功能的智能手机将陆续推出，2024-2025年更多创新AI应用将落地手机，有望带动手机单机存储容量显著提升。

创新：AI催化HBM需求快速增长，为服务器市场带来增量空间。HBM存储通过将DRAM堆叠的方式大幅提高内存带宽，而2022年末AI大模型应用的爆发催化了算力需求增长，AI训练更高的算力需求需要存储芯片进行容量与带宽上的配套，传统的GDDR方案带宽迭代速度已难以满足，从而带宽更高的HBM方案加速落地，我们预计HBM方案将在24/25年后成为AI训练服务器市场主流。目前单台AI服务器HBM容量需求约320~640GB，当前AI训练用加速卡或GPU主要为英伟达A100/H100，AMDMI300/MI250以及GoogleTPUv3/v4，此类加速卡均配备HBM，AI训练需求增长将推动英伟达/AMD以及谷歌加速卡迅速应用，从而带动HBM渗透率提升，同时未来英伟达/AMD的GPU与加速卡迭代至GH200与MI300，下一代加速卡将使用更大容量的HBM，HBM市场需求迎来渗透率与单机容量的双增长。我们测算HBM市场规模将从22年的15亿美金增长至24年的64亿美金，对应107%的22-24CAGR；AI服务器存储市场规模将从22年的106亿美金增长至24年的151亿美金，对应19%的22-24CAGR。目前海力士已量产HBM3，并率先向英伟达H100供应，三星将于2H23量产HBM3，美光预计24年量产HBM3，三家主要原厂逐步量产HBM将助力HBM市场进一步增长。

国产化：国内存储产业集群逐步形成，带动本土产业链成长。复盘存储行业发展史，驱动两次存储产业转移的核心因素均为成本优势的转移，而目前国内下游需求土壤逐步成熟，手机、PC与新能源汽车等多个应用已成为全球主要市场之一，同时存储供给端发展也较迅速，国内存储IDM原厂为长鑫存储与长江存储，两家公司分别在DRAM与NAND技术追赶上进展较快，长鑫23年DRAM已突破17nm，长江存储NAND布局上推进至232层，逐步向海外主流水平靠近。据IDC数据，长鑫与长存在DRAM与NAND上市占率从2020年的0.3%与1.0%上升至2022年的1.8%与3.5%，我们预计未来国产化水平将继续提升。原厂颗粒国产化将有助于培养本土供应链，为国内存储产业链带来产业集群以及成本上的优势，推进模组、主控、封测与设计厂商的国产替代。

NAND方面，我们认为NAND需求主要来自于手机与SSD市场，我们预计在手机单机容量升级以及服务器单机密度提升将驱动行业NANDGB总需求同比增长20%，叠加价格回暖，我们预计2024年NAND市场规模将恢复至442亿美元，同比增长32%。供给端，存储原厂23~24年持续减产，24年有望出现小幅供需缺口。我们看到减产稳价已成为存储原厂的主要目标，23年以来海外原厂稼动率与资本开支缩减明显，美光已于2Q23业绩会中表示将延续减产至24年，我们预计22年与23年DRAM与NAND供给增速均有望明显降低，连续减产与需求弱复苏下行业有望于24年出现小幅供需缺口。

存储价值链紧凑，产业链议价权集中于IDM原厂巨头。IDM原厂巨头业务覆盖环节包括设计、制造、部分主控芯片、部分封测以及部分模组，据各环节公司公告数据拆分，IDM原厂价值链覆盖比例达到82%以上，产业链议价权较集中于IDM巨头，故产业链各环节玩家发展将较大取决于与存储原厂的商业模式关系。利基存储从产业链附加值占比来看，价值占比较大的环节为设计制造环节，分别占24%与42%。

模组制造厂商有存储原厂与第三方模组厂，第三方模组厂商所提供的附加值主要为产品选型，匹配消费类与工业类市场相对较多元化的长尾市场需求。内存条内部结构包括DRAM存储颗粒、TS芯片、RCD接口芯片、DB芯片、以及电源管理芯片，NAND模组以SSD为例，内部主要包括NAND存储颗粒、NAND主控芯片、以及较高端的SSD会配备的DRAM缓存，模组厂商需要完成模组产品架构设计与定义，以及内部各类芯片的选型，根据客户需求，为不同应用领域的客户提供相对更多样化、客制化的产品。

模组产品中大宗品类客户结构相对更集中，需求在产品性能、寿命与可靠性上。以NANDFlash为例，按品类分市场份额中，根据CFM数据，占比最高的品类为SSD与手机中的嵌入式存储两类，2022年分别占比49%与38%，占据大部分市场，而SSD市场中消费级SSD与企业级SSD主要为全球品牌PC厂商与服务器/云厂商，手机中嵌入式存储客户主要为全球手机品牌厂商，两类产品客户结构均相对较集中，且客户需求对模组需求在于产品性能、使用寿命以及产品可靠性上，对模组价格相较于工业类、PC后装以及移动存储等市场更不敏感。存储原厂模组产品主要对接大宗领域需求，第三方模组厂商主要覆盖长尾市场需求。存储原厂产品性能与可靠性更高，为手机、PC前装、服务器等大宗应用领域的主要供货商，而第三方模组厂以产品选型、成本管控以及渠道能力见长，主要覆盖PC后装、移动存储以及工业类应用等价格更敏感、需求更多元的长尾市场。

我们测算存储模组市场规模2023年因周期下行原因将下降至958亿美元，预期在需求逐步复苏的带动下，25年市场规模有望恢复到1714亿美元，2023~2025年同比增速分别为-33%/36%/32%。竞争格局方面，DRAM模组与NAND模组市场份额均大部分由原厂占据，经我们测算，DRAM模组中第三方模组厂市占率仅占17%，且主要由金士顿占据，其余模组厂如威刚、海盗船、金泰克与记忆科技等占据较碎片化的份额，NAND模组呈现出较类似的格局，原厂格局较为集中，占据NAND模组市场的88%，其他较领先的NAND模组厂为金士顿、嵌入式存储领先的江波龙与佰维存储，其他厂商为格局更为碎片化的第三方模组厂。市场整体来看，第三方模组厂份额远远小于原厂，未来仍有较大提升空间，以江波龙1H23收入测算，其在整个模组市场份额已达到1.1%，较2022年的0.8%有明显提升。

从股价上看，模组厂与原厂周期中基本同时反应。原厂与模组厂股价受到业绩表现与估值倍数两方面因素的驱动。1）业绩表现，由于终端库存消化需要时间，故颗粒价格开始反弹后，到业绩表现开始回暖仍存在一定时滞，业绩表现将在库存水平逐步正常化后开始驱动股价上涨。2）估值倍数，估值倍数为驱动股价上涨的核心因素，颗粒价格反弹后估值倍数便开始提升。从而当存储颗粒价格反弹开启上行周期后，原厂与模组厂估值倍数均开始上涨，股价反应时点较为一致。从业绩增速上看，模组厂业绩向上与向下拐点均略早于原厂。模组集成环节处于原厂下游，终端需求反弹后将直接拉动模组环节厂商业绩回暖，而原厂出货方式既有模组也有存储颗粒，即便由于存储颗粒供应商议价权较强，颗粒价格或先于模组价格筑底，但营收增速仍需模组厂商以及OEM客户相应库存回归正常后才会回暖，故存储原厂业绩表现拐点略滞后于模组厂商，据Wind数据，以威刚、宜鼎、美光与海力士为例，模组厂商营收增速转正时点较原厂领先约1~2个季度。周期中待需求复苏拉动价格反弹，开启上行周期后，模组厂商将率先受益于周期反转，迎来业绩与估值倍数的戴维斯双击。

利基存储设计：供给向亚洲转移，物联化和智能化拉动大容量需求提升

NORFlash的应用从最早功能性手机以及PCBIOS向物联网市场发展。TWS耳机、AMOLED及TDDI触控与显示芯片、车载电子、安防、物联网等领域对NORFlash的需求增加。另外，随着物联网产品设计的复杂化以及功能的多样化，存储器容量也在逐步扩大，因此行业自2017年开始迎来新的增长。根据Omdia数据统计，2020年NORFlash全球市场规模为24亿美元，预计2025年可达39亿美元，年复合增长率约为10%。

海外厂商相继退出NORFlash市场，国内企业逐步占优。NORFlash市场规模较小，性质更偏向于利基型行业。根据SEMI数据，2021年NORFlash和EEPROM市场规模约40亿美元，占全球市场规模仅为2.6%。现有NOR市场竞争者主要为中国台湾厂商华邦及旺宏、英飞凌和大陆的兆易创新、普冉股份、复旦微电和东芯股份等，此前NORFlash经过了长期下行后三星完全退出该领域，而镁光仅保留了高容量产品线。根据2020年Omdia数据显示，华邦及旺宏分别为全球NORFlash市场销售额前二，产品覆盖范围广，采取IDM模式进行生产，在研发能力和营运水平上都具备优势。大陆厂商主要采用Fabless经营模式，专注于晶圆设计，除兆易创新外主要集中在中低容量产品研发，从营收规模上相对台系厂商较小。兆易市占率全球第三，国内领先，在产能、产品研发以及产品的全面性上都存在着一定的优势，存储器业务对标中国台湾龙头厂商不断发展。

中大容量NORFlash价格逐步企稳回升，国内企业有望受益。NOR的供应端相较于DRAM、NAND更为分散，市场对其价格追踪较为困难，考虑到大厂减产情况以及服务器、汽车等带来的大容量需求，我们认为大容量的NORFlash价格下降幅度有限。根据华邦1H23电话会表示，上半年Flash营收同比减少32%，NOR的位元出货量同比降低15-20%左右。但NORFlash业务且由于128M及以上容量的NORFlash玩家较少，竞争格局相对较好，国内相关头部企业如兆易创新、普冉股份有望在周期中率先受益。

历史周期复盘：DRAM现货价格为周期核心观测指标

库存周期特征不明显，库存水平与周转天数持续增长。存储行业库存周期在季度数据上表现并不明显，据Bloomberg数据，存储原厂存货水平以及库存周转天数数据约从1Q16开始至今整体处于持续增长的趋势，从存货水平同比增速上看，与存储价格变动的联动关系同样不明显，我们认为主要原因为行业近十年处于大量扩产进行份额竞争的时期，使得存储厂商即便在下行期中也仍会维持较高的稼动率，去库存过程较为艰难且被动，周期当中主动去库存与被动去库存的阶段均较短，库存去化程度也较浅，周期特征并不明显，故库存水平对于存储周期位置的指引作用较为有限。

DRAM价格较NAND价格周期性更强，具有更好的指引作用。分产品来看，DRAM行业因为格局更集中，供给端扩产较节制，周期上行时具有更强的抬价能力，因此周期性表现更为明显，而NAND赛道各玩家仍处于份额竞争当中，价格战仍较激烈，故上行期时常较短，同时价格上涨幅度也较小，处于长期下跌的趋势，因此DRAM现货价格对于周期位置具有更好的指引作用。从周期长度上看，历史价格上行期为4-8个季度，下行期5-11个季度，据Bloomberg数据，DRAM价格上行期略长于NAND，NAND价格在周期中呈现出牛短熊长的特征，处于长期下跌的趋势。

原厂供给与终端需求变化对价格影响传导迅速，行业资本开支可为供需关系变动提供前瞻指引。据IDC与Bloomberg数据，DRAM供给充足率（原厂产量/下游需求量-1）拐点与DRAM价格变动拐点基本一致，说明供需关系传导渠道畅通，出现供需缺口之后价格即能立即反应。从资本开支与供给充足率的联动关系上看，资本开支缩减到供给充足率拐点存在一定时滞，主要系设备购置需要预付订单，资本开支的减少对供给端的控制存在滞后，据IDC与Bloomberg数据，资本开支缩减后约3个季度后供给充足率开始出现拐点，同时价格开始上行。

当前周期位置判断：底部逐步确认，静待需求反转

我们判断目前存储周期底部已经逐步得到确认，预计下半年需求端或将逐步复苏形成拐点。供给端上，主要厂商稼动率与资本开支缩减明显，Trforce数据，三星、美光、SK海力士2Q23稼动率从22年的接近满载分别下滑至77%、74%、82%，Bloomberg数据，海力士1Q23资本开支同比下降43%，美光2Q23资本开支同比下降40%。需求端上，1Q23主要市场手机、PC与服务器需求疲软持续，美光与Trforce预计整体需求将于下半年开始改善。库存端上，目前原厂与模组厂库存水平仍在上行，我们预计在下半年将逐步开始去库存。价格方面，DRAM与NAND价格2Q23仍有小幅下降，但已呈现逐步筑底的趋势，Trforce预计3Q23DRAM跌幅0%~5%，降幅较1Q23的下降13%已明显收窄。市场展望上，美光、海力士与三星均预期下半年开始市场环境将逐步改善。

供给端：主要供应商大幅减产

供给端缩减幅度较大，稼动率与资本开支下降均较明显。美光与海力士减产尤其明显，据美光于FY3Q23法说会表示，其DRAM与NANDbit产量23年将减少30%，2023财年资本开支总体下降30%，WFE（前道设备）支出投入将下调50%，同时于FY3Q23法说会上表示减产将延续至24年，海力士于3Q22季度法说会上表示，2023年资本开支将下降50%以上，于23年4月表示无锡工厂产量将减少30%。三星减产态度相对更保守，表示23年资本开支将与22年持平，但资本开支将更多用于产线维护与升级，我们预计用于产能拓充的资本开支也将下降。稼动率方面，根据Trforce数据，三星、美光、SK海力士2Q23稼动率分别下滑至77%、74%、82%。

行业资本开支下降已得到季度财务数据验证，美光海力士下调幅度较大。从行业整体资本开支水平上看，据Bloomberg数据，行业资本开支水平增速已经从高位开始下降，1Q23资本开支同比增速已降至5%，我们预计未来降幅将更加明显。其中美光与海力士资本开支水平从4Q22开始已出现较大幅度的回调，据Bloomberg数据，海力士1Q23资本开支水平同比下降43%，美光1Q23同比下降-16%，2Q23降幅扩大至40%。三星暂未下调资本开支水平，1Q23同比增长44%。财务表现上看，据Bloomberg数据，三大原厂三星、美光、海力士2Q23收入仍处于同比下降趋势，但降幅有趋缓态势，美光收入季度同比降幅已在收窄，毛利率数据上三星受益于业务多元化表现较稳定，美光与海力士随存储价格逐步企稳毛利率已较1Q23有所回升，美光（2Q23/1Q23：-18%/-33%），海力士（2Q23/1Q23：-16%/-32%）。中国台湾存储厂南亚科、华邦电以及力晶财务表现同样呈现企稳回暖的趋势。

需求端疲软持续，但整体逐步筑底，下半年有望开始复苏。

2)PC：PC需求量1Q23同样持续下降，据IDC数据，1Q23全球PC出货量为5690万台，同比下降29%。Trforce表示，第一季笔记本电脑品牌首要目标是全力去化终端库存，上游拉货动能趋缓，因而影响ODM端出货（Sell-in）表现。第二季起，随着品牌整机及零部件库存逐步往可控水位靠拢，渠道端压力缓解后，回补需求逐渐浮现，第三季将受益于传统季节性动能支撑，返校潮、节庆促销活动会进一步刺激备货需求，带动全球笔电出货量增长。我们看到PC去库存进展顺利，PCsellout出货量在2023年将逐季改善。

3)汽车：汽车市场6月销量环比增长，新能源车渗透率持续提升，乘联会预测2023年中国新能源乘用车销量为850万辆，渗透率36%，美光预计23年下半年汽车存储需求将持续增长。我们预计在汽车电动化智能化趋势带动下，板块需求将长期增长。

4)服务器：我们看到23Q1在云厂资本开支下行，以及去库存压力下服务器出货量同比下滑。展望全年，我们认为在ChatGPT等发展带动下，AI服务器将迎来快速增长，预计搭载英伟达A/H100系列芯片的AI服务器出货量23年/24年将达到25万/50万台，但由于宏观经济波动且AI服务器高价值量对云厂商预算或带来一定蚕食，预计通用服务器需求2023年或同比下滑15%。我们认为受益于AI需求持续旺盛，中国云计算厂商需求或于下半年开始修复。

5)云计算资本开支:海外方面，根据我们对微软、谷歌、亚马逊、Meta、苹果财报的梳理，2022年全球云计算资本开支同比增长19.6%至1580.6亿美元。考虑到全球宏观经济及北美云厂商收入增速放缓，根据FactSet与彭博一致预期，2023/2024年全球云计算资本开支预计分别同比增长3.3%/11.0%。国内市场方面，根据我们对百度、阿里巴巴、腾讯财报的梳理，受BAT降本增效战略影响，2022年国内云计算资本开支同比下降29.25%至90.52亿美元；随着国内疫情优化，以及AIGC发展带动下，我们预计后续BAT资本开支有望企稳回升，预计2023/2024年国内云计算资本开支将同比增长8%/10%至97.7/107.5亿美元。

库存端：库存水平上涨幅度趋缓

存储原厂库存持续小幅上涨，预计行业将在下半年逐步开始库存去化。根据Bloomberg数据，主要存储原厂库存水平以及库存周转天数仍在上涨，季度环比上看，上涨幅度已逐步趋缓，1Q23行业存货库存周转天数均值为157天。美光2Q23数据上看，若加回存货减值影响，则2Q23库存较1Q23已开始下降，美光2Q23存货周转天数为168天，目标值在120天。同时三星、海力士均认为2H23库存正常化速度将加快，市场环境将得到改善。供给端的产能缩减将在下半年开始逐步反应，我们预计下半年原厂库存将开始下降。

存储模组行业整体库存水平同样仍在增长，行业内部库存水平存在较大分化。模组行业1Q23库存水平仍在增长，平均周转天数为207天，但行业内部因产品结构以及下游领域不同，库存水平有较大差异，部分模组厂也处于战略性备货考虑而增加了库存。TrForce表示，目前下游模组厂库存截至第二季仍偏高，后续是否会有策略性备货需要观察两点，一为旺季实际需求回温，二是原厂报价是否转趋强硬。

价格端：已逐步趋稳，拐点将近

DRAM现货市场均价已经趋稳，DRAM与NAND各品类价格跌幅均在收窄。据Wind数据，DRAM现货PPASP($/Gb)价格已呈现筑底态势，DXI指数（Trforce创建反映主流DRAM价格的指数）降幅也在趋缓，Bloomberg数据显示DRAM与NAND现货价格与合约价格同样逐步趋稳。存储原厂1Q23普遍出现较严重的亏损，从而美光与三星在5月表示将不再接受低于当前成交价的订单。根据Trforce存储报价查询，DDR5产品已实现价格上涨，Trforce预计3Q23DRAM跌幅收窄至0%~5%，NANDFLASH跌幅收窄至3%~8%，同时下半年市场回暖复苏有望进一步推动价格止跌，存储拐点将近。

大模型训练需求增长后算力需求迅速提升，对显存容量与带宽提出更高要求。随着AI应用的普及，以及以ChatGPT为代表的大模型的出现，AI相关算力需求正成为高性能计算的主要增长点。当前，大模型最重要的特点是通过不断增加模型参数和训练的数据集的规模，来实现更高的预测精度和通用性。根据OpenAI统计，目前大模型训练所需算力的增速保持3-4个月/倍速度增长，远超摩尔定律18-24个月/倍。算力的快速增长需要存储芯片进行容量与带宽上的配套。

AI算力需求推动HBM加速落地，DRAM芯片从2D走向3D。当存储器访问速度跟不上处理器数据处理速度时，存储器访问速度将构成运算速度的主要瓶颈，即出现“存储墙”问题，而在AI训练为代表的高速运算下，“存储墙”问题将更加显著。从而为解决高速运算下，存储器传输速率受限于DDRSDRAM带宽而无法同步成长的问题，高带宽存储器（HighBandwidthMemory，HBM）应运而生，其革命性传输效率是让核心运算元件充分发挥效能的关键。HBM通过使用硅通孔（TSV）垂直堆叠多个DRAM，将DRAM芯片从2D结构变为3D结构，可显著提升数据处理速度。这一突破性存储器解决方案采用了先进的SiP封装方法，通过DRAM中的数千个微孔将上下芯片垂直互连。得益于这一封装工艺，HBM产品的性能有所提高，同时尺寸有所减小。HBM3带宽为能大幅提高数据训练速率，有望成为主流显存方案。目前市场主流GDDR标准为GDDR6，主流HBM标准为HBM2E，下一代HBM3带宽JEDEC标准达到819GB/s，在23、24年逐渐规模量产后，HBM与GDDR规格的性能差距将进一步扩大。

技术进展上，三星海力士布局领先，美光相对落后。2008年AMD开始与SK海力士联手研发HBM，随后海力士与三星展开技术竞赛，先后完成HBM2/HBM2e/HBM3的研发与量产。2021年10月海力士率先推出HBM3，并于2022年3月在英伟达HopperGH100上完成GPU上的首次HBM3应用，目前，英伟达高阶GPUH100、A100主要采用HBM2e、HBM3。2023年海力士宣布成功研发12层24GB的HBM3。三星1Q23业绩发布会上表示超低功耗的8层16G和12层24GHBM3已批量生产，下半年将推出HBM3e产品。美光于2020年推出HBM2产品，并预计于2024年量产HBM3，技术推进略有滞后。

市场份额集中于海力士与三星，海力士量产进度更快，市占率领先。据Trforce数据，2022年全球HBM市场中海力士市占率为50%，三星占40%，美光约10%，随海力士HBM3率先量产并在英伟达A100/H100中应用，2023年海力士份额预计上升至53%，三星与美光份额小幅下降，三星表示其HBM3e产品将于2H23量产，预计在未来三星、美光下一代产品正式实现量产后有望实现份额上的追赶。

目前HBM未大规模起量，原厂对HBM技术产业链覆盖较完整，其他受益环节主要为设备与封装厂，相关公司主要为泛林、TEL、TSMC等国际龙头厂商。目前HBM产品主要量产厂商海力士、三星均为自主生产，覆盖设计、制造以及封装测试环节，其他产业链受益环节主要为设备厂与具备先进封装能力的封装厂，HBM制备中的TSV工艺对刻蚀设备以及ALD设备要求更高，将为设备厂带来增量价值，受益公司包括泛林、TEL等，泛林与测试设备厂Advantest于2Q23业绩会上均表示HBM相关制造和测试设备需求强劲。同时具备2.5D、3D封装能力的厂商也将同样受益，例如台积电通过CoWoS工艺为英伟达A100/H100代工，英伟达加速卡出货量直接带动封装需求。从产业链公司相关营收上看，HBM营收贡献迅速。据海力士2Q23公告，海力士GraphicsDRAM（即HBM）营收占总营收比例从4Q22的约5%上升至2Q23的约13%，业绩迅速起量。同时测试设备商Advantest预计其23年全年DRAM板块业务受HBM需求提振，营收实现逆势增长，23年预计同比增长18%。

HBM市场测算：预计24年市场规模有望达到86亿美金，22-24CAGR178%

我们预计在AI训练与推理需求高增长的推动下，HBM与AI服务器存储市场规模将迅速扩张，我们测算HBM市场规模2024年可达86亿美元，对应2022~2024年CAGR178%，AI服务器存储市场规模2024年可达172亿美元，2022~2024年%。测算假设：AI服务器出货量上保持较高增速；假设单台AI服务器搭载8块GPU，单个GPU平均搭载HBM容量将逐步提升推动单机HBM用量增长；同时训练端与推理端搭载NVIDIAA100/H100GPU等高端显卡的比例提高，需要HBM进行适配，推动HBM渗透率迅速提升；HBM价格将在渗透率提升逐步起量后带动成本下降，同时美光、三星HBM产品未来也将逐步量产，HBM价格预计将有所下降。

存储模组相关公司：江波龙、佰维存储、朗科科技、嘉合劲威

江波龙：国内存储模组龙头，拥有两大品牌产线

形成四大产线，两大品牌。江波龙提供消费级、工规级、车规级存储器以及行业存储软硬件应用解决方案，公司已形成嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、移动存储及内存条四大产品线，产品广泛应用于智能手机、计算机、通信设备、可穿戴设备、物联网、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域。公司拥有两大自主品牌，公司2011年创立行业类存储器自主品牌FORESEE主打工业市场，2017年收购了国际高端存储品牌Lexar主攻消费者市场，公司自主品牌策略取得了一定的成功。以Lexar为例，据Omdia数据，2019年至2021年，Lexar在存储卡以及闪存盘领域均排名全球第三。客户资源丰富，覆盖多家品牌厂商。江波龙已与华勤技术、闻泰科技、龙旗技术、天珑移动、沃特沃德等行业领先的整机ODM厂商形成稳定的合作关系，行业类存储器进入传音控股、中兴通讯、烽火通信、三星电子、TCL、创维、海尔、海信、小米、字节跳动、联想、华硕、清华同方、深信服、奇瑞汽车、长安汽车等行业龙头客户的供应链体系。消费类存储器客户包括京东、亚马逊、沃尔玛、BestBuy、OfficeDepot、Staples、BH等知名零售商。

佰维存储：立足嵌入式存储，向消费级、工业级存储与封测领域延伸

佰维存储主营存储模组产品，形成四大业务线。佰维存储成立于2010年，发展至今已围绕存储模组形成四大产品线，包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储以及先进封测服务，公司嵌入式存储产品包括ePOP、eMCP、eMMC、UFS、BGASSD、LPDDR、MCP、SPINAND等，公司消费级存储包括固态硬盘、内存条和移动存储器产品，主要用于消费电子领域，公司工业级存储包括工规级SSD、车载SSD及工业级内存模组等，公司封测业务目前主要服务于母公司的封测需求。在嵌入式存储领域，公司是国内市场份额前列的自主品牌企业，根据CFM数据，公司eMMC及UFS在全球市场占有率达到2.4%，排名全球第8，国内第2。公司存储器产品进入众多行业龙头客户的供应链体系，其中包括：Google、Facebook、步步高、传音控股、TCL、创维、科大讯飞、富士康等智能终端厂商，联想、同方、宝德等PC及服务器厂商，中兴、兆驰、朝歌、禾苗、九联等通信设备厂商，星网锐捷、深信服、江苏国光、G7物联、锐明技术等行业及车联网客户，并且在多个细分市场占据重要份额。

朗科科技：深耕存储领域20年，国内闪存盘领先企业

朗科科技成立于1999年，是国内拥有闪存盘发明专利的厂商，拥有20年闪存盘专业生产经验技术，是闪存盘及闪存应用领域产品与解决方案领先企业。公司目前产品已经覆盖固态存储、DRAM动态存储、嵌入式存储和移动存储领域，已形成优盘、优卡、优信通三大支柱产品，按下游领域分，公司存储产品可分为企业级存储和消费级存储，分别用于数据中心及服务器、汽车电子和手机、PC等领域，未来公司将加强车规级与企业级SSD产品布局。朗科科技是中央政府采购指定移动存储品牌供应商；国家税务总局指定移动存储品牌供应商；国家密码管理局指定商用密码产品生产定点单位。公司研发实力较强，专利及专利申请总量300余项，所形成的专利族在全球范围内被苹果、谷歌、英特尔、IBM、微软、三星、东芝、闪迪、日立、中兴通讯等70家国内外顶尖机构所引用。

嘉合劲威（未上市）：内存模组全球领先企业，布局消费级与企业级存储模组

嘉合劲威主要从事DRAM及NANDFlash存储器的设计、研发、生产和销售；拥有内存条、固态硬盘、嵌入式存储及移动存储4条产品线；提供消费级、工业级、企业级存储器以及行业存储各类应用解决方案。公司旗下产品包括三大产品系列，分别为光威、神可与阿斯加特。光威为公司消费级产品，主要产品包括内存条（台式机、笔记本DDR3/DDR4等）、SSD（SATASSD、NVMeSSD等）、移动存储产品（PSSD、U盘等）；神可为公司企业级存储品牌系列，产品包括内存条，固态硬盘，嵌入式存储产品(LPDDR、UFS等)，产品广泛的用于电脑、智能设备(手机、平板、电视盒子等)、物联网等领域；阿斯加特为公司高端消费类品牌，主要产品包括内存条（台式机、笔记本DDR3/DDR4等）、SSD（SATASSD、NVMeSSD等）、移动存储产品（存储卡、PSSD、U盘等）。公司市场份额领先，据Trforce数据，公司2021年在全球第三方内存模组企业中，市占率达到2.4%，排名第5。

存储设计相关公司：北京君正、东芯股份、普冉股份、恒烁股份

北京君正：国内领先的ASIC设计企业，持续布局汽车存储应用

普冉股份：NORFlash+EEPROM双轮驱动，客户覆盖多家知名品牌厂商

普冉半导体成立于2016年，是一家技术创新性半导体设计公司。公司凭借其低功耗、高可靠性的产品优势，在下游客户处积累了良好的品牌认可度，成为了国内NORFlash和EEPROM的主要供应商之一。在NORFlash业务方面，公司已和汇顶科技、恒玄科技、杰理科技、中科蓝讯等主控原厂，深天马、合力泰、华星光电等手机屏幕厂商建立合作；在EEPROM业务方面，公司与欧菲光、信利、三星电机等行业内领先的手机摄像头模组厂商以及闻泰科技、华勤通讯、龙旗科技等ODM厂商建立合作，NORFlash和EEPROM产品应用于OPPO、vivo、华为、小米等知名品牌厂商的终端产品。

恒烁股份：深耕NORFlash，开发基于NOR的存算一体AI芯片

恒烁半导体成立于2015年，主要从事存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计，主要产品包括NORFlash存储芯片和基于Arm®Cortex®-M0+内核架构的通用32位MCU芯片。公司已掌握高可靠性、高速、低功耗65/50nmNORFlash和55nmMCU设计技术，且不断升级迭代相关产品，已完成首款基于NORFlash制程的存算一体AI芯片的研发、流片和系统演示。公司与杰理科技、乐鑫科技、泰凌微电子、芯海科技、兆讯恒达、翱捷科技、上海巨微及赛腾微等客户建立了长期稳定的合作关系，多款产品已进入小米、360、OPPO、星网锐捷、新大陆、中兴、联想、奇瑞汽车、江铃汽车及欧菲光等终端用户供应链体系。

存储封测相关公司：深科技、太极实业、华天科技

太极实业：国内集成电路市场领先的制造与服务商

无锡市太极实业成立于1993年，是半导体集成电路市场领先的制造与服务商，主要从事半导体封测业务、工程技术服务业务和光伏电站投资运营业务。半导体封测业务依托子公司海太半导体和太极半导体开展，主要涉及IC芯片封装、封装测试、模组装配及测试等内容；工程技术业务集中于子公司十一科技，主要服务于电子高科技与高端制造，生物医药与保健，市政与路桥，物流与民用建筑，电力，综合业务等6大业务领域；十一科技依托其在光伏电站设计和总包领域建立起来的品牌、技术优势，于2014年开始逐步形成光伏电站投资运营业务。

华天科技：国内领先的芯片封测企业，提供半导体封测一站式服务

天水华天科技成立于2003年，主要从事半导体集成电路、MEMS传感器、半导体元器件的封装测试业务，产品主要应用于计算机、网络通讯、消费电子及智能移动终端、物联网、工业自动化控制、汽车电子等电子整机和智能化领域。公司不断加强先进封装技术和产品的研发力度，完善研发仿真平台建设，依托国家级和省级的研发验证平台，自主研发出FC、Bumping、MEMS、MCM(MCP)、WLP、SiP、TSV、Fan-Out等多项集成电路先进封装技术和产品。公司凭借先进的技术能力、系统级生产和质量把控，为客户提供封装设计、封装仿真、引线框封装、基板封装、晶圆级封装、晶圆测试及功能测试、物流配送等一站式服务，已成为半导体封测业务首选品牌。

存储配套芯片相关公司：国科微、联芸科技、得一微

联芸科技（未上市）：全球出货量排名前列的独立固态硬盘主控芯片厂商

联芸科技成立于2014年，专注于数据存储主控芯片的研究及产业化，是目前国际上为数不多掌握数据存储管理芯片核心技术企业之一。公司以数据管理、通用IP、SOC芯片为核心研发方向，是目前国际上为数不多掌握数据存储管理芯片核心技术企业之一。公司已形成多款AIoT信号处理及传输芯片的产品布局和规模化商业应用，自主研发的芯片应用于消费电子、工业控制、数据通信、智能物联等领域。公司不断推出具有市场竞争力的大规模集成电路芯片及解决方案，发展成为全球出货量排名前列的独立固态硬盘主控芯片厂商，目前已进入江波龙、长江存储、威刚、宜鼎、宇瞻、佰维、金泰克、时创意、金胜维等行业头部客户的供应链体系。

得一微（未上市）：具备完整的存储产品线，形成覆盖全产业链的多元化存储解决方案

得一微电子成立于2017年，主要从事存储控制芯片和存储解决方案的研发、设计及销售，具备固态硬盘、嵌入式、扩充式三大产品线全覆盖的存储解决方案能力，为移动计算终端、智能家居、智慧物联网、数据中心及云平台等行业应用提供解决方案。公司已形成多元化存储解决方案的技术和服务能力，能够支持并满足产业链上下游的不同市场应用。公司的终端客户数量超过400家，存储控制芯片搭载在朗科科技、七彩虹、江波龙、晶豪科技等知名存储模组厂的产品中，存储控制IP被美光科技、群联电子等公司用于其控制芯片设计中，以及存储解决方案应用于松下电器、长江存储、阿里巴巴、创维集团、中兴通讯、国家电网等各行业知名终端应用客户的场景中。

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