SK海力士已经开始批量大规模生产新一代HBM2EDRAM内存/显存芯片，离2019年8月首次提出仅10个月的时间。
HBM2E大容量、高速度、低功耗，利用TSV硅穿孔技术垂直堆叠八颗16Gb(2GB)芯片，以此做到单颗容量16GB，是上一代HBM2的两倍，理论上能做到十二颗堆叠、单颗容量24GB。
HBM2每个堆栈的数据率能达到3.6Gbps(可理解为等效频率3.6GHz)，搭配1024-bitI/O，带宽能做到460GB/s，电压维持的水平。
使用四颗组合，总容量就是64GB，总位宽为4096-bit，总带宽则超过1.8TB/s。
这样的规格是GDDR6望尘莫及的。
SK海力士表示，HBM2E可广泛应用于工业4.0、高端GPU显卡、高性能超级计算机、机器学习、AI人工智能等各种尖端领域。
在历史上，SK海力士也是第一个搞定了HBM，并由AMD显卡首发，最初搭载于R9390X。
三星也在积极准备HBM2E，美光则模糊地表示会在年底之前推出新一代HBM。
